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李嗣涔

一、個人介紹 出生：民國四十一年八月十三日 籍貫：河南省濟源縣 學歷：台南一中（一九七Ｏ） 　　　台灣大學電機系學士(一九七四） 　　　美國史丹福大學電機碩士（一九七七） 　　　美國史丹福大學電機博士（一九八一） 經歷：(一)台灣大學教務長（一九九六至二ＯＯ二年） 　　　(二)國防部長室參事（一九九三至一九九四年） 　　　(三)台灣大學電機系系主任（一九八九至一九九二年） 　　　(四)台灣大學電機系副教授（一九八二至一九八六年） 　　　(五)美國ECD公司研究員（一九八Ｏ至一九八二年）　 現任：(一)台灣大學校長（二ＯＯ五－） 　　　(二)國立大學校院協會理事長（二ＯＯ六－） 　　　(三)亞太大學交流協會(UMAP)理事長（二ＯＯ五－） 　　　(四)台灣大學電機系教授（一九八六－） 二、傑出成就與特殊貢獻 　　李嗣涔校長在學術研究上有卓越貢獻，屢獲多項專利與榮譽，在半導體材料及元件領域已頗富國際聲望。一九九五年著作《半導體元件物理》獲金鼎獎(第二十屆)，一九八六－一九九六連續獲五屆十年國科會傑出研究奬，一九九七年當選亞太材料學院院士，一九九六－二ＯＯ二年當選國科會特約研究人員，二ＯＯ二年分別榮膺電機工程學會獎章、國際電子電機工程師協會IEEE FELLOW，二ＯＯ三年獲教育部學術獎(工程及應用科學)，二ＯＯ五年獲日本關西大學頒贈榮譽博士學位。其研究成就如下： (一)在半導體材料及元件方面，包含鋁砷化鎵、砷化銦、非晶矽氫等材料之成長及測試，以及雷射二極體、異質接面雙極博士班學生林浩雄教授共同發明異質接面雙極電晶體之「射極邊縁薄結構」，讓電晶體之電流增益高達一萬兩千五百，1/f雜訊大幅降低：該項發明已成為高頻電路如無線通信手機放大器之世界標準結構。回國短短數年間即展現極為優異之研究成果，而於一九八七年獲中山學術獎(工科)，並獲選中國工程師學會優秀青年工程師。 (二)有鑑於液晶平板顯示器取代傳統電視陰極射線管之趨勢，多年來致力於提升其驅動裝置－非晶矽氫薄膜電晶體之研究，包括(1)全世界首度將氘應用於非晶矽薄膜電晶體之製作，並證實以氘代替氫，可以改善非晶矽薄膜電晶體之電性穩定度及場效移動率；(2) 利用低溫二氧化矽(SiO2)之液相沈積法，發明了閘極平坦化製程，增加元件的良率，降低漏電流；(3)成功利用該二氧化矽製作非晶矽薄膜電晶體之閘極氧化層，取代傳統所使用之氮化矽(a-SiNx:H)，提高製程之彈性。而在多晶矽薄膜電晶體研究方面，發現以Ni/Cu作為低溫(五百五十。C)誘發多晶矽之金屬可增加十倍成長速度，一舉突破工業應用上的瓶頸；發展出特殊準分子雷射退火製程，成功製作出10μm大小的多晶矽粒。此外，在矽奈米線的成長、摻雜、電性及光性研究亦多所發現，發展出定向成長及製作動態隨機存取記憶單位等。 (三)近年專注於量子點發光元件及偵測器研究，包括(1)研究完成用於污染控制及夜視之InGaAs/GaAs量子點紅外線發光及偵測元件，設計可以運作在室溫的紅外光偵測器，並將量子點發光或偵測元件加上光子晶體濾波器以製作波長可調的發光元件或多尖峰響應的紅外線偵測器，以及(2)利用金屬光子晶體結構來研製同調熱放射紅外線光源，用於植物生長的基因調控等；除了大幅降低元件成本外，並撗大其應用範圍至生命科學領域。 　李嗣涔校長於國際期刊會議所發表之論文累計近三百篇，除致力於創新研究外，更積極於培養兼具基礎研究與創新設計能力的人才，作育英才無數，迄今已培養出二十七位博士、一百三十位碩士。這些專才部份留在學術界任教，多數則投身業界半導體或光電領域，不斷為學術界與產業界注入新活力。現有博士班學生十一名、碩士班學生十四名。 　在個人突出的教學與研究表現之外，對校務行政之服務亦不遺餘力，一九九六－二ＯＯ二年擔任臺大教務長期間，負責推動各項教學及研究措施，有效提升教學及研究水準，包括通識課程、服務課程、教學評鑑、教師評估與獎勵制度之創設與改革，每每引領風氣之先，而為國內大學所仿效。二ＯＯ五年更獲全體臺大師生之倚重，膺任臺大校長，可望帶領臺大邁向世界一百大。